SiC SBD
SiC SBD 特性：
碳化矽肖特基二極體（Silicon Carbide Schottky Barrier Diode，簡稱 SiC SBD）是一種基於碳化矽材料製作的肖特基二極體。與傳統矽（Si）材料相比，SiC 材料具有更高的能隙、更高的熱導率以及更好的耐高壓性能，這使得 SiC SBD 特別適合高壓、高溫和高頻的應用。
- 產品特性 :高耐壓性。低導通電阻,減少功率損耗。低反向恢復電流,減少開關損耗，適合高頻應用。高溫穩定性。
- 產品應用 :電動汽車（EV）電力轉換系統、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、功率因數校正電路,DC-DC轉換器工業電源等對高效能和穩定性要求較高的電力電子系統中。
