SiC MOSFET

SiC MOSFET 特性:

碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(Silicon Carbide MOSFET,簡稱 SiC MOSFET)是一種基於碳化矽材料製作的 MOSFET。相比於傳統矽(Si)MOSFET,SiC MOSFET 能夠在更高的電壓、更高的溫度和更高的頻率下工作,具有高效率和低損耗的特性,能減少周便器件及節省積構空間與成本,在功率電子領域受到越來越多的關注和應用。

  • 產品特性 :高耐壓性。高頻操作特性,能減少系統中的被動元件尺寸,從而縮小整體系統體積。高溫穩定性,可降低了對冷卻系統的需求。低導通電阻,在高壓應用中具有更好的效率和更小的損耗。
  • 產品應用 :電動車逆變器、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、伺服驅動器、 電動車充電椿、工業電源等要求高功率密度和高效率的應用中。

產品規格: :

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