SiC MOSFET
SiC MOSFET 特性：
碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體（Silicon Carbide MOSFET，簡稱 SiC MOSFET）是一種基於碳化矽材料製作的 MOSFET。相比於傳統矽（Si）MOSFET，SiC MOSFET 能夠在更高的電壓、更高的溫度和更高的頻率下工作，具有高效率和低損耗的特性，能減少周便器件及節省積構空間與成本，在功率電子領域受到越來越多的關注和應用。
- 產品特性 :高耐壓性。高頻操作特性，能減少系統中的被動元件尺寸，從而縮小整體系統體積。高溫穩定性，可降低了對冷卻系統的需求。低導通電阻，在高壓應用中具有更好的效率和更小的損耗。
- 產品應用 :電動車逆變器、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、伺服驅動器、 電動車充電椿、工業電源等要求高功率密度和高效率的應用中。
