GaN HEMT
GaN HEMT 特性：
SiC MOSFET氮化鎵高電子遷移率電晶體（Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor，簡稱 GaN HEMT）是一種基於氮化鎵（GaN）材料製作的高頻、高效能功率元件。GaN 具有高電子遷移率和寬能隙特性，適合於高速開關和高頻應用。
- 產品特性 :高頻特性、高開關速度、高耐壓和低損耗、高溫操作能力。
- 產品應用 : 5G 基站、衛星通信和雷達等射頻應用。無線充電、電動車逆變器以及光伏逆變器等高效能電力轉換系統。 DC-DC 轉換器、不間斷電源（UPS）和電機驅動等要求高效、高功率密度的工業和消費電子領域。
產品規格: ：
TBD