功率半導體
SiC SBD
碳化矽肖特基二極體（Silicon Carbide Schottky Barrier Diode，簡稱 SiC SBD）是一種基於碳化矽材料製作的肖特基二極體。與傳統矽（Si）材料相比，SiC 材料具有更高的能隙、更高的熱導率以及更好的耐高壓性能，這使得 SiC SBD 特別適合高壓、高溫和高頻的應用。
SiC MOSFET
碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體（Silicon Carbide MOSFET，簡稱 SiC MOSFET）是一種基於碳化矽材料製作的 MOSFET。相比於傳統矽（Si）MOSFET，SiC MOSFET 能夠在更高的電壓、更高的溫度和更高的頻率下工作，具有高效率和低損耗的特性，能減少周便器件及節省積構空間與成本，在功率電子領域受到越來越多的關注和應用。
SiC 功率模組
SiC 功率模組將一系列強大技術整合到單一封裝內，針對可靠性、效率和空間效益最佳化，還能縮短組裝時間。標準模組產品系列涵蓋電路拓撲、包括碳化矽在內的半導體、電壓和電流額定值以及封裝等多樣品項。
GaN HEMT
氮化鎵高電子遷移率電晶體（Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor，簡稱 GaN HEMT）是一種基於氮化鎵（GaN）材料製作的高頻、高效能功率元件。GaN 具有高電子遷移率和寬能隙特性，適合於高速開關和高頻應用。